Emerging miniaturized energy storage devices for microsystem applications: from design to integratio

来源 :InternationalJournalofExtremeManufacturing | 被引量 : 0次 | 上传用户:kings0578
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
The rapid progress of micro/nanoelectronic systems and miniaturized portable devices has tremendously increased the urgent demands for miniaturized and integrated power supplies. Miniaturized energy storage devices (MESDs), with their excellent properties and additional intelligent functions, are considered to be the preferable energy supplies for uninterrupted powering of microsystems. In this review, we aim to provide a comprehensive overview of the background, fundamentals, device configurations, manufacturing processes, and typical applications of MESDs, including their recent advances. Particular attention is paid to advanced device configurations, such as two-dimensional (2D) stacked, 2D planar interdigital, 2D arbitrary-shaped, three-dimensional planar, and wire-shaped structures, and their corresponding manufacturing strategies, such as printing, scribing, and masking techniques. Additionally, recent developments in MESDs, including microbatteries and microsupercapacitors, as well as microhybrid metal ion capacitors, are systematically summarized. A series of on-chip microsystems, created by integrating functional MESDs, are also highlighted. Finally, the remaining challenges and future research scope on MESDs are discussed.
其他文献
在神光Ⅲ原型装置上利用八路6400 J/1 ns激光注入1100 μm×1850 μm的黑腔内产生210 eV的高温辐射场,均匀辐照填充氘氘燃料的靶丸实现内爆.实验中选择高气压薄壳靶丸实现纯冲击波聚心内爆.通过闪烁体探测器、中子条纹相机等多套诊断设备获取了中子产额、聚变反应时刻等关键内爆参数.结合一维数值模拟表明,实验测量的中子产额与干净一维数值模拟计算的中子产额之比达到90%;同时通过人为破坏内爆对称性等方式表明,该设计下内爆中子产生机制集中于冲击波聚心,其内爆性能受到高维因素影响极低,从而实现了准一
期刊
以纳秒Nd:YAG脉冲激光器三倍频(355 nm)激光抽运的染料激光器为激发光源,在484~520 nm波长范围内,采用共振增强多光子离化光谱(REMPI)方法,对H2S分子里德堡序列的能级特性进行了实验研究,得到了谱峰间隔随激光波长增长而呈近二倍变化的两套谱峰序列嵌套而成的规则序列。该谱峰序列对应于H2S分子的里德堡序列激发。依据H2S分子低位激发电子态及里德堡序列的势能高度,可将离化过程确定为五光子4 1离化过程。并将所得到强谱峰序列归属为集结于态的np(n=5,6,7,8)里德堡序列,将弱谱峰序列归
Abstract
期刊
数值计算了LBO晶体中基频光波长为1064 nm时,在I类倍频相位匹配范围内所有匹配方向上慢、快光的走离角、互作用角和折射率。基频慢光的走离角范围为0°~1.35°,倍频快光的走离角范围为0°~1.52°,慢快光互作用角范围为0°~1.15°;在不忽略三波走离角、互作用角以及折射率的变化的情况下,数值求解了三波耦合波方程及在各相位匹配方向上倍频转化效率随通光长度的变化规律。结果表明,在匹配方向约为(42.2°,19°)时转化效率达到极大值,约为3.35%。在每一匹配角方向上,其转化效率与通光长度的平方成正
采用粒直径为4.4 nm 的PbSe 量子点及紫外(UV)固化胶,制备了掺杂质量浓度为0.1~6.0 mg/mL、不同长度的固态纤芯量子点光纤.通过测量量子点光纤吸收谱,确定了量子点光纤980 nm 波长随掺杂浓度和光纤长度变化的吸收截面.测量了量子点光纤的光致荧光(PL)谱,其峰值光强随掺杂浓度和光纤长度变化,存在一个与最大峰值强度对应的掺杂浓度和光纤长度.实验结果有助于对PbSe量子点光纤放大器和激光器的进一步研究.
本文提出一种测量激光谐振腔反射镜高反射率和测量镀有减反膜的高透过率光学元件的有效方法.特点是同时测量几块高反射率凹面镜或高透过率光学元件,其误差是普通单块测量方法的1/n.详细分析了一组激光腔镜高反射率和一组镀减反膜的平行薄片高透过率的测量结果.
利用全量子理论计算方法, 探究了在强度关联耦合下两个二能级原子与单模Pólya态光场相互作用系统中原子线性熵粒子布局数反转以及信息熵压缩随时间的演化规律.分析了原子初态、光场参量p和r以及Lamb-Dicke参量η对原子线性熵、粒子布局数反转以及信息熵压缩的影响.结果表明:当原子处于不同的初态时, 相互作用系统表现出完全不同的量子特性; 光场参量p增大使得各个物理量振荡周期增大; 光场参量r增大, 使振幅发生变化, 破坏粒子布局数反转崩塌-复原现象以及信息熵压缩效应.
期刊