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本论文研究了离子注入的能量、剂量、温度等因素与注入后形成的深度、浓度分布的关系,以获得优化的离子注入条件;研究了离子注入后的退火温度、时间、保护层等因素对SiC表面粗糙度、元素分布的影响关系;研究了离子注入后SiC芯片退火时的保护,以防止材料升华等;分析离子注入及高温退火过程中诱生缺陷的形成机理,以获得优化的高温退火条件.