【摘 要】
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为进行10keVX射线和^60Coγ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI（Silicon-on-Insulator）n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOINMOS器件在两种辐
【机 构】
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电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室,中科院上海微系统与信息技术研究所
【基金项目】
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重点实验室基金项目资助（9140C030604070C0304）, 国家十一五预研项目资助（51323060401）
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为进行10keVX射线和^60Coγ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI（Silicon-on-Insulator）n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOINMOS器件在两种辐射源下辐照前后的阈值电压的漂移值并进行比较。实验结果表明,SOINMOS器件的前栅特性中X射线与60Coγ射线辐照感生阈值电压漂移值的比值α随总剂量增加而增大,而背栅特性中α值在不同偏置条件下变化趋势是不同的;在总剂量为1×10^6rad（Si）时,前栅器件α值为0.6～0.75,背栅
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