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使用一氧化碳作碳源气体，用微波等离子体化学气相沉积法在单晶硅上制备金刚石薄膜，分析氧对金刚石生长的影响。
用CO和CH4作为碳气源生长金刚石的比较
【摘 要】
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使用一氧化碳作碳源气体，用微波等离子体化学气相沉积法在单晶硅上制备金刚石薄膜，分析氧对金刚石生长的影响。
【机 构】
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中国科学院北京真空物理实验室
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1994年3期
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