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文章以Ga／Ga203为掺杂源，通过化学气相沉积法（chemical vapor deposition，CVD）实现了ZnTe：Ga纳米线的合成，利用X射线衍射（X-ray diffraction，Ⅺ国）仪、扫描电子显微镜（scanning electron microscopy，SEM）仪、透射电子显微镜（transmission electron microscopy，TEM）、光电子能谱（X-ray photoelectron spectroscopy，XPS）等表征其形貌、结构与成分，并构建了基于