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利用场控变阻材料电阻率随电场变化的特点，改善留边型平板高压陶瓷电容器电极边缘的电场，可以大幅度提高陶瓷电容器的性能，探讨了ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系玻璃加入掺杂ＺｎＯ制成的半导体玻璃釉对陶瓷电容器电击穿强度，充放电寿命的影响，通过配方，工艺、电极结构的优化可以使留边型高压陶瓷电容器的击穿强度提高８０％以上，充放电寿命提高了１０倍以上，并与具有类似场控变阻性能的半导体漆作了对比。