铟填充Skutterudite化合物的晶体结构和热电性能

来源 :佛山陶瓷 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ahhfwwzy

【摘要】

：

用熔融法结合放电等离子快速烧结技术（SPS）制备出单相的铟填充p型Skutterudite化合物InyFexC04-xSb12。Rietveld精确化结果表明：所制备的InyFexCohSb12化合物具有Skutterudite结

【作者】

：

刘桃香唐新峰柳伟张清杰

【机构】

：

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室

【出处】

：

佛山陶瓷

【发表日期】

：

2008年11期

【关键词】

：

In填充 Skutterudite化合物结构热电性能 In filling Skutterudite compound structure therm

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用熔融法结合放电等离子快速烧结技术（SPS）制备出单相的铟填充p型Skutterudite化合物InyFexC04-xSb12。Rietveld精确化结果表明：所制备的InyFexCohSb12化合物具有Skutterudite结构；与CoSb3相比，InyFexCo4-xSb12化合物的Sb—Sb键长增加，说明In原子填充进入了Skutterudite结构中的Sb二十面体空洞；In的原子位移参数比框架原子Sb、Fe／Co的大，说明In在空洞中具有扰动效应。热电性能测试结果表明：随着In原子填充量的增加，

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