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采用脉冲激光沉积法，生长出没有组分偏析，晶体质量好的Zn1-xMgxO薄膜（x=0.2）。研究了衬底温度对Zn0.8Mg0.2O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响，发现最佳衬底温度为650℃左右。对Zn0.8Mg0.2O薄膜进行了光致发光分析，发现相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移。
脉冲激光沉积法生长Zn1—xMgxO薄膜
【摘 要】
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采用脉冲激光沉积法，生长出没有组分偏析，晶体质量好的Zn1-xMgxO薄膜（x=0.2）。研究了衬底温度对Zn0.8Mg0.2O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响，发现最佳衬底温度为650℃左右。对Zn0.
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年12期
【基金项目】
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国家重大基础研究规划 973资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 6)~~
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