【摘 要】
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利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管（VLEDs）,研究了p层厚度即p面金属反射镜与量子阱
【机 构】
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南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心
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利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管（VLEDs）,研究了p层厚度即p面金属反射镜与量子阱层的间距对LED出光效率的影响,并采用F-P干涉模型进行了理论分析。结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λn处和1.01λn处取得第一个极大值和极小值,且前者是后者两倍多。因此优化p层厚度可以有效提高LED的出光效率。
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