【摘 要】
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目前,N/N~+和 P/P~+型硅外延片广泛使用三探针法测量电阻率。由于测试条件常常不符合标准,测得的电阻率与实际值往往差别很大。用此法分选的外延片制管,电参数一致性很难控
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目前,N/N~+和 P/P~+型硅外延片广泛使用三探针法测量电阻率。由于测试条件常常不符合标准,测得的电阻率与实际值往往差别很大。用此法分选的外延片制管,电参数一致性很难控制,是器件质量波动、合格率低的
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