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利用商业化SiO@C材料通过HF刻蚀一步处理快速制备出具有中空结构的SiO@Void@C复合材料,通过XRD、SEM、充放电循环等方法研究了材料的物化结构及电化学性能,并讨论了冷压与否对其结构及电化学性能的影响。研究表明,在低压密情况下,具有中空结构SiO@Void@C复合材料具有较优的电化学性能,材料的可逆比容量高达1305mAh/g,可稳定循环长达500圈容量保留54%,相比初始SiO@C材料性能明显提升;但在高压密情况下,SiO@Void@C复合材料的中空结构受到严重破坏,材料的循环性能明显降低。因此,具有中空结构类Si基负极材料在实际商业化锂离子电池应用中仍存在较大挑战。