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提出了一种低电压、低功耗的甲乙类S2I存储单元,电源电压为±0.5V。电路采用CMOS开关以增大输入信号动态范围,使用交叠时钟控制方案以改善性能。使用EKVMOS晶体管模型参数进行了电路仿真,仿真结果表明该电路的性能优于基本甲乙类存储单元。文中也给出了基于该存储单元的通用积分器电路。
一种低电压低功耗的甲乙类S^2 I存储单元
【摘 要】
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提出了一种低电压、低功耗的甲乙类S2I存储单元,电源电压为±0.5V。电路采用CMOS开关以增大输入信号动态范围,使用交叠时钟控制方案以改善性能。使用EKVMOS晶体管模型参
【机 构】
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桂林电子科技大学信息与通信学院
【出 处】
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现代电子技术
【发表日期】
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2007年11期
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