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本文研究了正电子湮没寿命谱仪探测器的输出影响因素。两个最重要的影响因素是光电倍增管和ＢａＦ２晶体之间的光学耦合以及光电倍增管上所加的高压，我所正电子湮没寿命谱仪探测器所使用的高压选择为２．４５ｋＶ，２．５７ｋＶ，两个探测器的输出电压是１．８Ｖ。
正电子寿命谱仪探测器的输出影响因素和选择
【摘 要】
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本文研究了正电子湮没寿命谱仪探测器的输出影响因素。两个最重要的影响因素是光电倍增管和ＢａＦ２晶体之间的光学耦合以及光电倍增管上所加的高压，我所正电子湮没寿命谱仪探测器所使
【出 处】
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上海钢研
【发表日期】
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1997年1期
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