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传统硅基MOSFET技术日趋成熟,正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好,能够提高MOSFET的性能,是一项关注度很高的替代技术。
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著
【摘 要】
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传统硅基MOSFET技术日趋成熟,正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好,能够提高MOSFET的性能,是一项关注度很高的替代技术。
【机 构】
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意法半导体
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2019年12期
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