【摘 要】
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据《电子材料》1989年第12期报道,日本索尼公司研制成高速高集成度的GaAs IC,约集成400个器件,工作频率为12GHz.目前所开发的GaAs IC集成了约400个栅长为0.5μm的结型FET,用
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据《电子材料》1989年第12期报道,日本索尼公司研制成高速高集成度的GaAs IC,约集成400个器件,工作频率为12GHz.目前所开发的GaAs IC集成了约400个栅长为0.5μm的结型FET,用作分频器具有1/256和1/258两种分频性能.这种IC可望应用于卫星通信的VSAT等高性能高频通信的小型收发
According to “Electronic Materials” reported in December 1989, Japan’s Sony developed a high-speed high-integration GaAs IC, about 400 integrated devices, the operating frequency of 12GHz.Currently developed GaAs IC integrates about 400 gate length The 0.5μm junction FET, used as a divider with 1/256 and 1/258 divider capability, is expected to be used in small transceivers for high-performance, high-frequency communications such as VSAT for satellite communications
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