【摘 要】
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随着电力电子技术的发展，M0sFET在高频开关电源中的应用日益广泛。然而随着MosFET开关频率的不断提高，MosFET极间电容引起的能量损耗也逐渐增加，对驱动波形的畸变影响也越来越大
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随着电力电子技术的发展，M0sFET在高频开关电源中的应用日益广泛。然而随着MosFET开关频率的不断提高，MosFET极间电容引起的能量损耗也逐渐增加，对驱动波形的畸变影响也越来越大，因此MosFET对驱动电路的要求也越来越高。如何提高开关驱动效率，减小开关动态损耗就越来越受到重视。本文首先分析高频下MosFET极阐电容的组成参数，然后对具体的IRF840NMos开关管进行不同的驱动实验测试，分析了在不同驱动下，驱动波形受到投闻电容的不同程度影响，并对各种驱动效果做出了一定评价。
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