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采用基于Cl2／Ar／BCl3气体的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED，研究了刻蚀深度对光荧光（PL）和发光二极管（LED）光电特性的影响。结果表明，刻蚀深度为25nm的表面微结构，与传统平面结构相比，其PL增强了42．8％；而采用ITO作为透明电极的LED，在20mA注入电流下，正面出光增强了38％、背面出光增强了10．6％，同时前向电压降低了0．6V，反向漏电流基本不变。