【摘 要】
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在高温条件下,SiC功率器件拥有极具潜力的应用前景。随着Si C技术的进步,目前商业化SiC金属–氧化层半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
【机 构】
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俄州立大学电气与计算机工程系,智能电网研究院电力电子研究所
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在高温条件下,SiC功率器件拥有极具潜力的应用前景。随着Si C技术的进步,目前商业化SiC金属–氧化层半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)模块的电流等级已达到300 A,总栅极电荷超过了1 000 nC。针对300 A SiC MOSFET模块在高温应用领域需要较高驱动电流的问题,进行高温栅极驱动电路的拓扑研究。重点分析BJT推挽式拓扑和CMOS推挽式拓扑,并提出BJT-CMOS混合式拓扑,通过PSpice
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