化学镀铜Si基底上碳纳米管薄膜强流脉冲发射稳定性研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wu511526198209172515
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为了研究碳纳米管薄膜在强流连续多脉冲下的发射特性,采用酞菁铁高温热解方法在化学镀铜硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Si/Cu-CNTs),作为强流脉冲发射阵列。在20GW脉冲功率源系统中采用二极结构对Si/Cu-CNTs薄膜进行连续多脉冲高电流发射测试,结果表明:连续多脉冲情况下,峰值电场达到29.1V/μm,发射电流密度为0.892kA/cm2时,Si/Cu-CNTs薄膜仍具有良好的发射可重复性,连续发射的每个电流波形基本一致,发射稳定性好。
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