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在建立SOI MOSFET阈值电压模型的基础上,对其阈值电压特性进行了研究,分析了阈值电压与硅膜掺杂浓度、前栅、背栅氧化层厚度、温度的关系.
深亚微米SOI MOSFET阈值电压特性研究
【摘 要】
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在建立SOI MOSFET阈值电压模型的基础上,对其阈值电压特性进行了研究,分析了阈值电压与硅膜掺杂浓度、前栅、背栅氧化层厚度、温度的关系.
【出 处】
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广西大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2004年z1期
【基金项目】
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广西自然科学基金(桂科自0339014)资助
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