【摘 要】
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这款套装产品由两条三星金条DDR31333 2GB内存组成，每条内存均采用6层PCB板设计，能减少电磁干扰和不稳定因素。内存表面采用大面积覆铜，可以有效减小地线阻抗，提高抗干扰能力。 而在金手指方面，大家可以看到金手指末端有一个明显的“小辫子”，显然，内存采用了更好的电镀金工艺，此外在内存表面，大家还可看到大量排阻与耦合电容，具备良好的做工。 颗粒方面，内存采用双面16颗粒设计，组成2GB内存
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这款套装产品由两条三星金条DDR31333 2GB内存组成，每条内存均采用6层PCB板设计，能减少电磁干扰和不稳定因素。内存表面采用大面积覆铜，可以有效减小地线阻抗，提高抗干扰能力。
而在金手指方面，大家可以看到金手指末端有一个明显的“小辫子”，显然，内存采用了更好的电镀金工艺，此外在内存表面，大家还可看到大量排阻与耦合电容，具备良好的做工。
颗粒方面，内存采用双面16颗粒设计，组成2GB内存规格。它选用编号为K4B1G0846D的三星原厂颗粒，额定工作电压为1.5V，具有低耗电、低发热的特点。内存具备四套工作频率与工作延迟，在DDR31333下，其CAS-tRCD-tRP-TRAS四个主要延迟为9-10-10-25，高于普通DDR3内存9-9-9-21的延迟设定，因此其默认频率下的性能会比其他DDR3 1333内存略差一些。
在我们的实际试用中，我们发现尽管该内存价格低廉，但以默认延迟稳定工作在DDR3 1333下毫无问题。而且值得一提的是，它还具备一定的超频能力，在对E8200处理器进行超频时，我们同时将内存工作电压提升到2V左右，并以1:4的比例同步提升内存工作频率，最后内存可以稳定工作在DDR3 1600下，处理器频率提升到3.2GHz，前端总线达到1600MHz。而从测试成绩来看，内存在超频后，内存、实际软件性能更得到了14.9%～19.9%的提升。 (马宇川)
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