聚吡咯衍生物的合成及液晶性能

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系统论述了新型导电功能性液晶聚合物3-和N-液晶基元取代聚吡咯的合成和液晶行为.指出通过化学氧化聚合、电化学氧化聚合和脱卤缩合聚合可以获得液晶性聚吡咯衍生物.它们均显示热致液晶行为,且多数呈现近晶液晶相,少数呈现向列液晶相,有些具有2种近晶相,有些具有单变液晶性.N-液晶基元取代聚吡咯比3-位取代聚吡咯具有较高的液晶稳定性.较长的亚甲基间隔和极性的介晶基团能够使N-取代聚吡咯具有较大的液晶微区和稳定的液晶相.N-取代液晶聚吡咯在摩擦力的作用下还可以诱发单轴取向.这种热致液晶性聚吡咯衍生物的研究成功有希望克
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