射频微机械CPW开关的研究

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【摘要】

：

本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关.初步测试结果如下:开态电容为0.21pF,关态电容为6.1pF,致动电压

【作者】

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张正元温志渝徐世六张正番黄尚廉

【机构】

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重庆大学光电工程学院,重庆大学光电工程学院,国家模拟集成电路重点实验室

【出处】

：

电子学报

【发表日期】

：

2003年5期

【关键词】

：

射频微机械开关 CPw开关金属膜绝缘层牺牲层 Calculations Integrated circuit layout Integrated circ

【基金项目】

：

重庆市科技攻关项目

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本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关.初步测试结果如下:开态电容为0.21pF,关态电容为6.1pF,致动电压为22V,关态下的隔离度为35dB,开态下插入损耗为3dB.该工艺完全与硅基IC工艺兼容,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化,降低体积提高可靠性打下了基础.

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