【摘 要】
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高工作频率、低损耗和高直流迭加磁芯是决定电子器件体积和性能的主要因素。在开发出DMR50材料的基础上,采用低温烧结技术,用传统的陶瓷法工艺制备了可使用至3MHz的低功耗高
【机 构】
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中国计量学院材料科学与工程学院,横店集团东磁有限公司博士后科研工作站
【基金项目】
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浙江省151人才基金;浙江省分析测试基金资助项目(A04089);浙江省重大科技攻关资助项目(2005C11042)
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高工作频率、低损耗和高直流迭加磁芯是决定电子器件体积和性能的主要因素。在开发出DMR50材料的基础上,采用低温烧结技术,用传统的陶瓷法工艺制备了可使用至3MHz的低功耗高直流迭加Mn-Zn铁氧体材料DMR50B。在3MHz,10mT和100℃时材料的功耗在200kW/m3左右,在700kHz,30mT和100℃时只有20kW/m3左右。材料在100℃时的Bm=430 mT,HDC=100A/m。材料的截止频率fr在4MHz左右,与用斯诺克定律计算出的结果相符合,并可用晶界模型解释。材料优异的性能是由其小于
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