【摘 要】
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【正】1.半导体激光器发展简介自从1962年世界上第一台半导体激光器(Laser Diode)发明问世以来,由于其体积小、重量轻、易于调制、效率高以及价格低廉等优点,被认为是20世纪
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【正】1.半导体激光器发展简介自从1962年世界上第一台半导体激光器(Laser Diode)发明问世以来,由于其体积小、重量轻、易于调制、效率高以及价格低廉等优点,被认为是20世纪人类最伟大的发明之一。40儿年来半导体激光器逐步应用在激光唱机、光存储器、激光打印机、条形码解读器、光纤通信以及激光光谱学中,不断扩大应用范围,进入一些其它类型激光器难以进入的新的应用领域。2.半导体激光器发展现状
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品种来源:由山东省掖县农科所用8112做母本,黄早四做父本杂交育成。特征特性:株高230厘米,穗位高90厘米。属中熟杂交种,夏播生育期96天,套种101天左右。茎秆细硬而有韧性,高
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试样中含2％磷酸和0.5％磷酸氢二钠,在富氧空气—乙炔火焰的条件下,可有效地抑制干扰,当测定2μg/ml铜、钙、铁、锰、镍等元素均不影响测定.方法的检出限为0.01μg/ml,灵敏度为0.
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