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为了研究器件参数与材料结构的关系，设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺，研制出三种RTD器件，并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时，如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。
RTD／HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系
【摘 要】
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为了研究器件参数与材料结构的关系，设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺，研制出三种RTD器件，并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和
【机 构】
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天津工业大学信息与通信工程学院,中国电子科技集团公司十三所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2008年2期
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