【摘 要】
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采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3（x=0,0.5,1,1.5,2）合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（61176043）,广东省战略性新兴产业专项资金资助项目（2012A080304016）,华南师范大学青年教师培育基金资助项目（2012KJ018）
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采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3（x=0,0.5,1,1.5,2）合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分别为0.452eV（直接）和0.373eV（间接）。当增大Al的掺杂量,AlxGa2-xO3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。
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