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采用甚高频等离子化学气相沉积技术（VHF—PECVD）制备了系列p-i—n型微晶硅太阳电池，研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现：随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低，转换效率与之有相同的变化趋势，而开路电压随硅烷浓度的提高而增加，这些变化来源于有源层材料结构的改变。电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响，但受前电极的影响很大。不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区，但对应电池的晶化率不同。另外，研究结果也给出非晶／微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降