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半导体断路开关（SOS）效应的发现，促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用。采用一维流体模型，利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P^＋-P-N-N^＋结构的电流截断特性进行了数值模拟研究。研究了SOS二极管P区扩散深度、外电路参数对SOS电流截断特性的影响。结果表明：P区扩散深度、次级储能电容C2、反向泵浦电感L^-的大小对SOS的反向电流截断时间均有较大影响；随着次级储能电容和反向泵浦电感的增大，电流截断时间增大，反向电流峰值和反向电压峰值减小。该研究对SOS二极管工艺设计和外电路优化设计具有理论意义