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采用臭氧，正硅酸乙醋（O3/TEOS）基前驱物，通过次大气压化学气相沉积（SACVD）在深宽比高于8：1的STI和深宽比高于6：1的PMD应用中展现了优异的填充性能，并提高了器件的驱动电流，改善了PN结漏电。此外，在器件沟道区施加局部应力的方法也得到了证实。
采用SACVD改善器件电学性能
【摘 要】
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采用臭氧，正硅酸乙醋（O3/TEOS）基前驱物，通过次大气压化学气相沉积（SACVD）在深宽比高于8：1的STI和深宽比高于6：1的PMD应用中展现了优异的填充性能，并提高了器件的驱动电流，改善了PN结漏
【机 构】
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AppliedMaterialsInc.
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2008年6期
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