【摘 要】
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基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题。完成了铁电电容工艺
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61204084)
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基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题。完成了铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成,并进行了芯片测试。通过调节位线寄生电容值,得到所设计电路的最大信号电压差(即读出容差)为1.3V,实现了集成铁电存储器单元的正确读写,成功验证了电路读写功能的正确性和模型的准确性,为进一步开发铁电存储器奠定了基础。
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