【摘 要】
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本文采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法,分析了ZnO:Mn掺杂体系中本征空位缺陷VZn和VO分别出现在相对Mn为近邻、次近邻、远次近邻位置时体系的晶体结构、能带分布、态密
【机 构】
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华南师范大学物理与电信工程学院 广东省量子调控工程与材料重点实验室,广州,510006华南师范大学华南先进光电子研究院, 广州 510006;广东技术师范学院电子与信息学院, 广州 510665;
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本文采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法,分析了ZnO:Mn掺杂体系中本征空位缺陷VZn和VO分别出现在相对Mn为近邻、次近邻、远次近邻位置时体系的晶体结构、能带分布、态密度和磁性.结果表明:ZnO:Mn体系中VZn比VO更容易产生,且两种缺陷均更容易在Mn的近邻位置形成.其中VZn的出现没有明显改变ZnO:Mn体系的带隙,然而会使体系的导电性增加,且VZn与Mn的距离越远,导电性越强.同时,VZn减弱了体系的磁性,但与VZn的位置无关.VO的出现会使体系带隙变宽,且电导率显著低于无缺陷ZnO:Mn体系,但是其导电性会随着VO与Mn的距离变远而增强.同时,VO的出现不会影响体系原来的磁性.
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