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GaN同质外延衬底的研制对发展氮化物半导体激光器、大功率高亮度LED,以及高功率电子器件等是非常重要的。本文介绍了宽禁带氮化物半导体衬底材料研究方面技术原理、新方法以及所取得最新进展。大量创新性的衬底技术的应用,给自支撑GaN衬底在半导体微电子器件和光电子器件等领域大规模生产和应用提供了可能。
GaN衬底材料的研究与发展
【摘 要】
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GaN同质外延衬底的研制对发展氮化物半导体激光器、大功率高亮度LED,以及高功率电子器件等是非常重要的。本文介绍了宽禁带氮化物半导体衬底材料研究方面技术原理、新方法以
【出 处】
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中国照明电器
【发表日期】
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2017年11期
【基金项目】
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国家重点研发计划(2017YFB0404201);江苏省自然科学基金(BK20141320,BE2015111);固态照明与节能电子学协同创新中心;江苏高校优势学科建设工程资助项目;国网山东电力公司技术开发基金
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