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应用扫描电子显微镜（SEM）对GaP半导体材料的p-n结进行线扫描，得到电子束感生电流（EBIC）的线扫描曲线.给出一简单模型，对GaP样品n区的EBIC线形进行计算，拟合实验曲线，得出少子扩散长度和表面复合速度.
EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度
【摘 要】
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应用扫描电子显微镜（SEM）对GaP半导体材料的p-n结进行线扫描，得到电子束感生电流（EBIC）的线扫描曲线.给出一简单模型，对GaP样品n区的EBIC线形进行计算，拟合实验曲线，得出少子扩散长度
【机 构】
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北京师范大学分析测试中心
【出 处】
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北京师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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科技部基金预研项目
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