【摘 要】
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浸没式光刻是当前45 nm以下集成电路（Integrated circuit,IC）生产线上唯一实际应用的技术。它通过在最后一片投影物镜和硅片之间填充高折射率的浸没液体来提高光刻的分辨率。作
【机 构】
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浙江大学流体传动及控制国家重点实验室
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浸没式光刻是当前45 nm以下集成电路（Integrated circuit,IC）生产线上唯一实际应用的技术。它通过在最后一片投影物镜和硅片之间填充高折射率的浸没液体来提高光刻的分辨率。作为光刻系统中光路的一部分,浸没液体需要保持良好的均一性。然而,曝光过程中光刻胶泄漏污染和曝光温升的问题,会破坏流场的均一性,并最终影响到成像质量。目前主要采用浸没液体的更新带走光刻中产生的污染物和热量,液体的更新效率成为了浸没式光刻机设计中必须考虑的关键问题之一。建立浸没流场的数值模型,并研究结构参数对流场更新效率的影
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