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用直流磁控溅射法分别在si（111）基片及陶瓷基片上制备掺有Pt的Sn02薄膜，并进行500℃～700℃退火处理，对掺杂前后的薄膜进行XRD分析，测试各掺杂样品气敏特性。500℃退火后，掺杂样品对各种有机气体有较高的灵敏度，随着溅射时间的延长，气敏特性提高。700℃退火后，45min溅射的样品对氨气有很高的灵敏度和很好的选择性，最佳工作温度为220℃左右。随着掺杂时间延长，气敏特性降低。