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首先采用循环伏安法制备了聚酪氨酸修饰玻碳电极。通过循环伏安法、交流阻抗谱及扫描电镜表征了其对[Fe(CN)6]^3-/4-的响应、电子传递阻抗及膜表面形态。聚酪氨酸膜呈芽状均匀分布于玻碳电极表面,能有效促进电子转移。然后采用原位镀铋制备了铋/聚酪氨酸复合膜修饰玻碳电极。以复合膜电极对Cd^2+方波阳极溶出伏安响应,探讨了聚酪氨酸修饰玻碳电极最佳制备条件及最佳测试介质。聚酪氨酸修饰玻碳电极制备液中酪氨酸最佳浓度为2.0 mmol·L^-1,聚合圈数为35。测试介质中Bi 3+最佳浓度3.0μmol