【摘 要】
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如今集成电路工艺更多采用的是CMOS工艺,因为具有功耗低便于集成等特点。但BJT工艺仍然有不可替代的优点,它具有电驱动能力强上电速度快的特点,且工艺简单,成本更低,在需要高
【基金项目】
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四川省科技计划资助项目(2014FZ0050)
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如今集成电路工艺更多采用的是CMOS工艺,因为具有功耗低便于集成等特点。但BJT工艺仍然有不可替代的优点,它具有电驱动能力强上电速度快的特点,且工艺简单,成本更低,在需要高功率大电压的环境中,采用BJT工艺仍然是不错的选择。提出了一种基于BJT工艺的无运放低温度系数的带隙基准源,适用温度范围广,在-40℃~140℃都具有较好的温度特性。该电路采用重庆二十四所的WX40工艺,测试结果显示能产生较高精度的3.3 V电压源,且电压源抑制比高达85 dB,同时具有极高的线性调整率,可以在11~40 V的电压范围下
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