应变Ge1—yCy合金的带隙

来源 :华侨大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：liujing6633

【摘要】

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采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法,研究Si(001)和Ge(001)衬底上的应变Ge1-yCy合金,其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况.结果发现,带隙对应变条件非常敏

【作者】

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吴丽清郭亨群黄美纯朱梓忠

【机构】

：

华侨大学信息科学与工程学院,厦门大学物理系

【出处】

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华侨大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

：

从头赝势法带隙硅衬底锗衬底碳含量晶格失配度能带结构半导体材料应变Ge1-yCy合金 Ge1-yCy ab initio pseudopotent

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采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法,研究Si(001)和Ge(001)衬底上的应变Ge1-yCy合金,其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况.结果发现,带隙对应变条件非常敏感.硅衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随碳组分的增加而增加,而锗衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随碳组分的增加而减小.

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