MEMS用Si台面及SiO2／Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hxl5201314888

【摘要】

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本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜

【作者】

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孙国胜王雷巩全成高欣刘兴昉曾一平李晋闽

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

3C—SiC LPCVD生长 Si台面 SIO2/SI 3C-SiC LPCVD growth Si mesas SiO2/Si

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划)

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本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-SiC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-SiC和SiO2之间没有明显的坑洞形成.

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