一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计

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【摘要】

：

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源．基于特许半导体（Chartered）0．35μm ABiCMOS工艺，采用Brokaw带隙基准电压源结构，通过一级温度补偿技术，设计得到了一种在-40℃到＋85℃的

【作者】

：

李彪雷天民

【机构】

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西安理工大学电子工程系

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

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2007年1期

【关键词】

：

模拟集成电路带隙基准电压源 Brokaw参考电压源温度补偿BiCMOS analog integrated circuit bandgap voltage

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文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源．基于特许半导体（Chartered）0．35μm ABiCMOS工艺，采用Brokaw带隙基准电压源结构，通过一级温度补偿技术，设计得到了一种在-40℃到＋85℃的温度变化范围内温度系数为15．2×10^-6/℃，输出电压为2．5V±0．002V的带隙基准电压源电路．±20％的电源电压变化情况下，输出电压变化为2．2mV，电源电压抑制比为60dB5V电源电压下功耗为1．19mW．具有良好的电源抑制能力．

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