硅基AAO模板内电化学沉积ZnO纳米线及其光电性能研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangrui1006

【摘要】

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本文利用二次阳极氧化法在p型低阻〈100〉晶向的硅衬底上制备了AAO/Si,以硅基AAO为辅助模板,采用电化学沉积的方法以Zn（NO3）.6H2O和HMT（C6H12N4）为原料,在80℃的水浴槽中制备了Zn

【作者】

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李芹张海明李菁杨岩缪玲玲

【机构】

：

天津工业大学理学院

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

：

2012年1期

【关键词】

：

电化学 ZNO 场发射 electrodeposition ZnO field emission

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本文利用二次阳极氧化法在p型低阻〈100〉晶向的硅衬底上制备了AAO/Si,以硅基AAO为辅助模板,采用电化学沉积的方法以Zn（NO3）.6H2O和HMT（C6H12N4）为原料,在80℃的水浴槽中制备了ZnO纳米线结构。采用SEM,XRD和拉曼光谱等手段对ZnO/AAO/Si复合结构进行表征。SEM图表明ZnO纳米线已成功组装到AAO/Si模板里,直径约45 nm,长度约为600 nm。XRD和拉曼光谱表明ZnO具有六角纤锌矿多晶结构。光致发光（PL）谱图表明ZnO/AAO/Si复合结构在565 nm附

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