低电压SRAM测试电路设计与实现

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针对一款256kbit的低电压8T SRAM芯片进行测试电路设计,电路主要包括DFT电路和内建自测试电路两部分,前者针对稳定性故障有着良好的覆盖率,后者在传统March C+算法基础上,提出了一种March-Like算法,该算法能够实现更高的故障覆盖率。仿真结果表明,DFT电路能够减小稳定性故障的最小可检测电阻,提高了稳定性故障的测试灵敏度;March-Like算法可以检测到低电压SRAM阵列中的写破坏耦合故障、读破坏耦合故障和写干扰故障。
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