国外VLSI可靠性工程的进展

来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qvril
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<正> 1 前言 随着VLSI技术的发展,采用按比例缩小的原则(即在恒定电压下,器件尺寸缩小k倍,掺杂浓度增加k倍,电场强度增加k倍,电流密度增加k~3倍),使IC的规模不断增加,性能和功能不断扩大和完善;但因工作电压并不能相应降低,电路中的电流密度和电场强度大大增加,加上一些新技术的采用,如采用多层布线技术,互连线要经过多个复杂的台阶,台阶的覆盖性能变差,这就造成互连线中的电迁移问题严重起来。电场的增强使MOS器件中栅介质的漏电和击穿成了问题,在短沟器件中(有效沟道长度小于3μm),热载流子
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