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采用密度泛函理论研究了空位和反位缺陷效应对四元Heusler合金CoFeTiSb电子结构的影响。结果表明,Vd（Co）、Vd（Fe）空位缺陷和Ti（Sb）反位缺陷具有负的形成能,能保持85%以上的自旋极化率,在CoFeTiSb合金工业制备过程中自发形成几率较大;Vd（Ti）、Vd（Sb）空位缺陷和Fe（Co）反位缺陷虽然费米面处自旋极化率为100%,仍保持半金属性,但正的形成能表明在制备过程中它们出现的几率较小。此外,Sb（Co）、Sb（Fe）、Sb（Ti）、Co（Ti）、Fe（Ti）反位缺陷由于具有较大