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为了使理论计算结果更加符合实验数据，应当考虑缺陷半导体内晶格的最近邻乃至次近邻驰豫效应。本文介绍了应用Ｈａｒｒｉｓｏｎ的计算公式计算随杂质和主体原子键长而变化的晶格驰豫效应，并将ＧａＰ等掺杂半导体的计算结果与实验数据及其它理论的计算值作了比较。
半导体内晶格驰豫效应的计算
【摘 要】
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为了使理论计算结果更加符合实验数据，应当考虑缺陷半导体内晶格的最近邻乃至次近邻驰豫效应。本文介绍了应用Ｈａｒｒｉｓｏｎ的计算公式计算随杂质和主体原子键长而变化的晶格驰豫效应，并将ＧａＰ等
【机 构】
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湖南省教育学院物理系长沙410012
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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1996年1期
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