【摘 要】
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基于寻求目前流行的TTL与非门74LS00真实输出低电平伏安(VOL-IOL)特性与模型的目的,通过实测4个厂家的四与非门SN74LS00N的VOL-IOL特性,结合对四家芯片的各门在不同逻辑状态
【机 构】
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天津工业大学物理科学与技术学院,天津工业大学工程教学实习训练中心
【基金项目】
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教育部留学归国人员科研启动基金(第48批)
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基于寻求目前流行的TTL与非门74LS00真实输出低电平伏安(VOL-IOL)特性与模型的目的,通过实测4个厂家的四与非门SN74LS00N的VOL-IOL特性,结合对四家芯片的各门在不同逻辑状态下的电源电流变化实测和理论计算,得出了各厂家的SN74LS00N芯片的内部两个关键电阻阻值R1,2、最低输出低电平电压VOL0(低电平负载驱动管T5是否真为肖特基三极管)、低电平输出等效内阻ROL,说明了各厂家芯片的低电平驱动负载能力有显著差异,该实际的定量结果这有利于大学课堂教学和相关电子工程设计。
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