论文部分内容阅读
讨论了纳米线的电阻测量及引起高电阻的原因，即宽带多型、纳米尺寸和未掺杂本征阻值大等．对纳米碳化硅线分别进行了直径为5nm、10nm、20nm纳米线电阻测量，在电压为100V以内测量其电阻达100MΩ．此外，纳米线MOSFET晶体管室温出现I—V高电流特性．讨论了这一现象的产生可能性，提出了假设，认为纳米线晶体中的电子在某种机制的作用下，形成电子对，这时，库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子才能解释这一现象．其公式为△=（ne）^2/C．对纳米线进行拉曼光谱鉴定和投射电子显微镜鉴别，显示出纳米线为4H