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通过射频磁控溅射法在Si（100）基片上沉积了La0.9Ba0.1MnO3-δ（LBMO）薄膜，并得到在不同温度下退火后的薄膜。采用X射线衍射（XRD），扫描隧道显微镜（STM），X射线光电子能谱（XPS），四探针法等手段对退火后薄膜的结构、微结构、表面化学态、磁电阻等性质进行了系统研究，结果表明，薄膜在800～850℃温度范围内退火，形成单相结构且晶粒与基片之间存在着相对固定的外延关系。退火温度不同会引起薄膜中含氧量的不同。在温度为300K，磁场为1．5T的条件下，退火温度为850℃的薄膜样品磁电阻可高