【摘 要】
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探讨了一种多晶硅高温压力传感器的设计方法,采用AlN作硅衬底和多晶硅力敏电阻条之间的电绝缘层,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,使制作的压力传感器特性好.利用多晶硅材料
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探讨了一种多晶硅高温压力传感器的设计方法,采用AlN作硅衬底和多晶硅力敏电阻条之间的电绝缘层,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,使制作的压力传感器特性好.利用多晶硅材料在高温条件下能够表现出良好的压阻特性,考虑其纵横向压阻效应的不同,作了理论分析,在此基础上制作力敏电阻条.利用有限元分析方法,借助MARC软件,模拟了传感器承压弹性膜的应力场分布.确定了多晶硅力敏电阻条的位置和排列方式.并且施加10kPa压力时,模拟了不同膜厚t与对应的最大应力o11的曲线;模拟了11方向主应力COMP11边缘中点应力为一特定值时所需压力尸N与膜厚t的关系曲线.
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